〜 2026年通期売上高450億ユーロへの上方修正とTSMC・インテル・サムスンの2nm超微細化競争 〜
オランダの半導体製造装置大手ASML（ASML Holding N.V.）は、AI向け先端半導体およびHBM（高帯域幅メモリ）需要の急速な拡大に伴い、EUV（極端紫外線）露光装置の受注残高が急速に回復しています。
同社は最新の2026年通期売上高見通しを、従来の360億〜400億ユーロから「430億〜450億ユーロ（粗利益率54%〜56%）」へと大幅に引き上げ、AIインフラのスーパーサイクルにおける唯一無二の独占ポジションを証明しました。
本記事では、ASMLの最新受注動向と次世代「High-NA EUV露光装置（EXE:5000/5200）」の普及状況、そして今後の株価見通しについて解説します。
項目 / 内容 概要
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 2026年通期売上高予想 | 430億 〜 450億ユーロ（前年比大幅上方修正）※1 |
| 予想粗利益率（Gross Margin） | 54% 〜 56%（極めて高い収益性）※1 |
| EUV事業売上成長率 | 前年同期比 +45%増の急速な伸び※1 |
| High-NA EUV導入動向 | インテル（18A量産に初投入）、TSMC・サムスン（2nm R&D評価中）※2 |
| 生産能力拡張計画 | 2027年までにLow-NA EUV生産能力を30%増強予定※2 |
〜 EUV受注の再加速とAI半導体・HBM需要の波及 〜
ASMLの業績を押し上げている最大の要因は、NVIDIAやAMDのAIアクセラレータ、およびそれに搭載されるHBM3E/HBM4メモリの増産に伴うEUV露光装置の爆発的な需要です。
2026年上半期のEUV新規受注額は堅調に推移しており、TSMCやサムスン電子、インテルといった主要ファウンドリからの複数年におよぶ長期購入契約が相次いでいます。
特にHBM用DRAMメモリの微細化プロセス（1b/1c nm世代）においてEUVレイヤーの適用数が倍増しており、ロジック半導体だけでなくメモリ市場からも強力な追い風が吹いています。
〜 次世代「High-NA EUV（EXE:5000/5200）」の量産適用と先端ファウンドリの動向 〜
2026年における技術的ハイライトは、レンズ開口数を0.33から0.55へ高めた超高解像度装置「High-NA EUV（EXE:5000およびEXE:5200シリーズ）」の量産ラインへの実戦投入です。
- インテル（Intel）： 業界に先駆けてHigh-NA EUV装置を導入し、最先端「Intel 18A」プロセスの商業量産（Panther Lake）に投入を完了。
- TSMCおよびサムスン： 2nmおよび1.4nmノードでのROI（投資対効果）を精査しつつ、R&D拠点での実証実験を進めており、2027年以降の本格量産適用を見込んでいます。
ASMLは2027年までにLow-NA EUV装置の年間出荷能力を30%引き上げる計画を発表しており、供給網のボトルネックを解消しながら中期的な増収基調を維持する構えです。
〜 Rirori’s Eye（編集部の視点） 〜
ASMLは、先端半導体製造において代替が存在しない「完全なるモノポリー（独占）」企業です。
TSMC、インテル、サムスンの3大巨頭がどれほど2nm以下の微細化競争を繰り広げようとも、勝ち負けに関わらずすべての製造装置シェアをASMLが総取りする構造となっています。半導体株ポートフォリオにおける「最も安全で確実なインフラ銘柄」として中長期の保有が推奨されます。
※1: 通期売上高ガイダンスおよび粗利益率はASML公式2026年Q2 IR発表資料に基づきます。
※2: High-NA EUV導入状況および生産能力拡張スケジュールは各種業界アナリストレポートに基づきます。
